Транзистор NPN/PNP ONSEMI BC848CPDW1T1G, комплементарная пара, SOT363, 30 В, 0,1 А (150 шт.)

Комплект из 150 биполярных транзисторов ONSEMI BC848CPDW1T1G в корпусе SOT363. Это комплементарная пара NPN/PNP с напряжением коллектор-эмиттер 30 В и током коллектора 0,1 А, предназначенная для поверхностного монтажа (SMD).

• Комплект из 150 транзисторов ONSEMI BC848CPDW1T1G
• Комплементарная пара NPN/PNP в одном корпусе SOT363
• Напряжение коллектор-эмиттер 30 В, ток коллектора 0,1 А
• Коэффициент усиления hFE: 420...800
• Рабочая частота до 100 МГц
• Поверхностный монтаж (SMD), мощность рассеяния 0,38 Вт

Электрические параметры

Транзисторы имеют напряжение коллектор-эмиттер 30 В и максимальный ток коллектора 0,1 А. Коэффициент усиления по току (hFE) составляет от 420 до 800, что обеспечивает стабильное усиление сигнала. Мощность рассеяния ограничена значением 0,38 Вт.

Корпус и монтаж

Компоненты выполнены в компактном корпусе SC70-6 (также известном как SC88 или SOT363). Такой формат позволяет размещать оба транзистора пары в одном корпусе, экономя место на плате. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж), что упрощает автоматизированное производство.

Частотные характеристики

Максимальная рабочая частота транзисторов составляет 100 МГц.