Интегральные микросхемы Alliance Memory AS4C4M16SA-6TIN, 64 Мбит SDRAM, TSOP54 II (3 шт.)

Интегральная микросхема Alliance Memory AS4C4M16SA-6TIN — это динамическая оперативная память (DRAM) типа SDRAM объемом 64 Мбит. Тип монтажа: поверхностный (SMD) в корпусе TSOP54 II. В комплекте поставляется 3 микросхемы.

• Объем памяти: 64 Мбит (64Mb DRAM)
• Тип памяти: SDRAM с частотой 166 МГц
• Организация: 4Mx16bit, параллельный интерфейс
• Корпус: TSOP54 II для SMD-монтажа
• Рабочее напряжение: 3,3 В
• Комплектация: 3 шт. в наборе

Объем и организация памяти

Микросхема имеет организацию памяти 4Mx16bit, что означает 4 миллиона слов по 16 бит. Частота тактирования составляет 166 МГц, а время доступа — 5,4 нс. Рабочее напряжение питания — 3,3 В. Тип интерфейса: параллельный.

Электрические параметры и интерфейс

Компонент выполнен в корпусе TSOP54 II для поверхностного монтажа (SMD). Диапазон рабочих температур составляет от -40 до +85 °C. Производитель — Alliance Memory. Модель AS4C4M16SA-6TIN имеет тип корпуса TSOP54 II и предназначена для поверхностного монтажа (SMD). Рабочее напряжение составляет 3,3 В, а частота тактирования — 166 МГц. Время доступа к данным — 5,4 нс. Интерфейс связи с контроллером — параллельный. В комплекте поставляется 3 микросхемы.