Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002P,215, SOT23, 60В, 0,28А (набор 150 шт.)

Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002P,215 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии Trench. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23 (TO236AB). Упаковка содержит 150 штук.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Технология изготовления: Trench
• Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 0,28 А (постоянный), 1,2 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 0,42 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 2 Ом
• Количество в комплекте: 150 шт.

Тип и технология

Устройство представляет собой униполярный N-MOSFET с каналом обогащения, изготовленный по технологии Trench. Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Заряд затвора равен 0,8 нКл.

Токовые характеристики

Постоянный ток стока составляет 0,28 А, а в импульсном режиме он может достигать 1,2 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 2 Ом, что определяет тепловые потери при работе.