Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002BKV,115, SOT666, 60В, 0,24А (набор 80 шт.)

Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002BKV,115 — это двойной полевой транзистор с обогащенным каналом в корпусе SOT666 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 80 единиц, что обеспечивает запас компонентов для серийного производства или ремонтных работ.

• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 0,24 А (постоянный), 1,2 А (импульсный)
• Корпус: SOT666, монтаж SMD
• Тип: двойной N-MOSFET (Trench)
• Рассеиваемая мощность: 0,525 Вт
• Комплектация: 80 шт.

Технические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 0,24 А. Импульсный ток стока может достигать 1,2 А, а рассеиваемая мощность составляет 0,525 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 2 Ом, что минимизирует потери энергии при коммутации.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT666, предназначенном для технологии поверхностного монтажа (SMD). Это позволяет размещать транзисторы на печатных платах с высокой плотностью компонентов. Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда.

Заряд и сопротивление канала

Заряд затвора составляет 0,6 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора. Устройство представляет собой двойной N-MOSFET (N-MOSFET x2) с униполярной полярностью и обогащенным каналом. Технология Trench обеспечивает эффективную работу компонентов. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Идентификатор TME для этого товара — 2N7002BKV.115.