Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMS6005DGTA, 60 В, 2 А, SOT223 (набор 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMS6005DGTA — это униполярный компонент с каналом обогащения, разработанный по технологии IntelliFET™. Устройство рассчитано на рабочее напряжение 60 В и ток стока 2 А.

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 2 А
• Рассеиваемая мощность: 1,3 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,2 Ом
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Технология: IntelliFET™, версия ESD
• Количество в наборе: 30 шт.

Технические параметры и корпус

Транзистор выполнен в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,3 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости равно 0,2 Ом. Компонент имеет логический уровень управления (logic level).

Версия ESD

Компонент имеет версию ESD (защита от электростатического разряда). Транзистор изготовлен по технологии IntelliFET™.

Комплектация

Товар поставляется набором из 30 транзисторов.