Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMP6A17E6QTA, -60В, -3А, SOT26 (30 шт.)

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMP6A17E6QTA — это униполярный компонент с каналом обогащения. Комплект из 30 штук в корпусе SOT26 удобен для массового монтажа и серийного производства.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: -60 В
• Постоянный ток стока: -3 А, импульсный: -13,6 А
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,125 Ом
• Рассеиваемая мощность: 1,92 Вт
• Корпус SOT26 для SMD-монтажа
• Комплект: 30 штук

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -60 В и постоянным током стока -3 А. В импульсном режиме допустимый ток составляет -13,6 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,125 Ом.

Тепловой режим и управление

Максимальная рассеиваемая мощность равна 1,92 Вт, поэтому компонент требует надлежащего отвода тепла на плате. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора 17,7 нКл влияет на скорость переключения и требования к драйверу.

Монтаж и корпус

Комплект из 30 транзисторов в корпусе SOT26 для поверхностного монтажа (SMD).