Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN7A11GTA, 70В, 3А, SOT223 (набор 20 шт.)

Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от Diodes Incorporated, модель ZXMN7A11GTA. Компоненты в корпусе SOT223 предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитаны на напряжение до 70 В и ток до 3 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 70 В
• Максимальный ток стока: 3 А
• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,19 Ом
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Количество в наборе: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 70 В, а допустимый ток стока — 3 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,19 Ом, что обеспечивает эффективное переключение и минимальные потери энергии.

Мощность и монтаж

Рассеиваемая мощность компонента составляет 2 Вт. Транзисторы выполнены в корпусе SOT223, что позволяет использовать их в устройствах с ограниченной площадью печатной платы. Монтаж осуществляется методом SMD, что упрощает автоматизацию производства.

Напряжение затвора и надежность переключения

В упаковке содержится 20 транзисторов. Такой набор удобен для прототипирования или небольших серийных изделий, где требуется надежная коммутация напряжения до 70 В.