Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TA, 60 В, 2,6 А, SO8 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TA — это двойной полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе SO8. Комплект из 20 штук предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в электронных устройствах, требующих управления током до 2,6 А при напряжении 60 В.

• Двойной N-MOSFET транзистор в корпусе SO8
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 2,6 А
• Рассеиваемая мощность: 1,25 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,18 Ом
• Комплект: 20 шт.

Компактный корпус для SMD-монтажа

Транзистор выполнен в стандартном корпусе SO8, что обеспечивает удобство автоматизированного монтажа на печатные платы. Такое решение позволяет экономить место на плате и упрощает процесс производства электронных модулей.

Электрические параметры и мощность

Устройство работает с напряжением сток-исток до 60 В и выдерживает ток стока 2,6 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,25 Вт, что определяет условия эксплуатации и необходимость отвода тепла в нагруженных схемах.

Управление и стабильность работы

Модель ZXMN6A11DN8TA является двойным транзистором (N-MOSFET x2), что позволяет управлять двумя каналами в одном корпусе. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,18 Ом, что влияет на эффективность работы и нагрев при коммутации тока.