Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA, SOT223, 100В, 3,7А (набор 20 шт.)

Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от Diodes Incorporated, модель ZXMN10A25GTA. Компоненты в корпусе SOT223 предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитаны на напряжение 100 В и ток 3,7 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 3,7 А
• Мощность рассеивания: 2 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,15 Ом
• Количество в наборе: 20 шт.

Тип и полярность

Компонент является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Такая структура обеспечивает простое управление и эффективную работу в ключевых режимах.

Электрические параметры

Допустимое напряжение на затворе составляет ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 0,15 Ом, что снижает нагрев при проводимости.

Мощность и ток

Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 100 В, а постоянный ток стока — 3,7 А. Мощность рассеивания равна 2 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Корпус и монтаж

Компоненты выполнены в стандартном корпусе SOT223. Это позволяет использовать их в схемах с поверхностным монтажом (SMD), что упрощает автоматизацию производства и экономит место на плате.