Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA, 100 В, 1,9 А, SOT223 (20 шт.)
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM037646
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA, 100 В, 1,9 А, SOT223 (20 шт.)В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 полевых транзисторов N-MOSFET от Diodes Incorporated, модель ZXMN10A11GTA. Компоненты в корпусе SOT223 рассчитаны на напряжение 100 В и ток 1,9 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 1,9 А
- Корпус: SOT223 для SMD монтажа
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Транзисторы являются униполярными с каналом обогащенного типа. Максимальное напряжение между выводами стока и истока составляет 100 В, а допустимый ток стока — 1,9 А. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,45 Ом.
Корпус и монтаж
Компоненты изготовлены в корпусе SOT223, который предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Этот тип монтажа используется для поверхностной установки компонентов. Рассеиваемая мощность составляет 2 Вт.
Комплектация
В наборе поставляется 20 транзисторов. Набор содержит 20 единиц товара.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴