Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A07ZTA, 100 В, 1,1 А, SOT89 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A07ZTA — это униполярный компонент с каналом обогащения, используемый в электронных схемах. Комплект из 30 штук обеспечивает запас для массового монтажа или серийного производства плат.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 1,1 А
• Рассеиваемая мощность: 1,5 Вт
• Сопротивление в состоянии проводности: 0,9 Ом
• Корпус: SOT89, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры для стабильной работы

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток до 100 В и постоянный ток стока 1,1 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,5 Вт, поэтому компонент требует надлежащего отвода тепла при длительных нагрузках. Сопротивление в состоянии проводности равно 0,9 Ом.

Компактный корпус SOT89 для SMD монтажа

Компонент выполнен в корпусе SOT89. Монтаж осуществляется по технологии SMD.

Удобная комплектация для производства

Упаковка содержит 30 транзисторов.

Транзистор N-MOSFET с напряжением сток-исток до 100 В и током стока 1,1 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,5 Вт, а сопротивление в состоянии проводности — 0,9 Ом. Компонент выполнен в корпусе SOT89 для SMD монтажа. Комплект содержит 30 штук.