Транзистор N/P-MOSFET комплементарная пара Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA, 60 В, SO8, 20 шт.
3 380 ₴
- В наличии
- Код: TM021625
Транзистор N/P-MOSFET комплементарная пара Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA, 60 В, SO8, 20 шт.В наличии
3 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплементарная пара транзисторов N/P-MOSFET от Diodes Incorporated, модель ZXMC4559DN8TA. Производитель DIODES INCORPORATED. В комплекте 20 шт.
- Тип монтажа: поверхностный
- Корпус: SO8
- Максимальная мощность рассеивания: 1,25 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 75 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 75 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 1,25 Вт.
Конструкция и монтаж
Транзисторы имеют поверхностный тип монтажа и корпус SO8. Канал обогащенный, полярность однополярная. Напряжение сток-исток 60/-60 В, ток стока 3,6/-2,6 А.
Комплектация
В наборе 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
Информация для заказа
- Цена: 3 380 ₴