Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA, комплементарная пара, SO8, 60 В (20 шт.)

Комплект из 20 комплементарных пар N/P-MOSFET транзисторов Diodes Incorporated модели ZXMC4559DN8TA. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8, они обеспечивают надежную коммутацию в электронных схемах с напряжением до 60 В.

• Комплект из 20 транзисторов
• Комплементарная пара N/P-MOSFET
• Напряжение сток-исток: 60/-60 В
• Ток стока: 3,6/-2,6 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 75 мОм
• Корпус SO8, монтаж SMD

Комплементарная пара для эффективной коммутации

Транзисторы образуют комплементарную пару N/P-MOSFET, что позволяет создавать эффективные схемы управления нагрузкой. Комплементарная пара позволяет реализовывать схемы управления нагрузкой.

Технические параметры и надежность

Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В для N-канала и -60 В для P-канала, что делает компоненты пригодными для различных электронных схем. Ток стока достигает 3,6 А (N) и -2,6 А (P), а сопротивление в открытом состоянии — 75 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев при работе.

Удобный монтаж и компактность

Компоненты выполнены в стандартном корпусе SO8 с технологией монтажа SMD, что упрощает автоматизированное производство печатных плат. Рассеиваемая мощность составляет 1,25 Вт, а напряжение затвор-исток — ±20 В, что определяет допустимые режимы управления транзистором.