Транзистор N/P-MOSFET комплементарная пара Diodes Incorporated ZXMC3F31DN8TA, SO8, 20 шт.

Комплект из 20 транзисторов (комплементарная пара) N/P-MOSFET от Diodes Incorporated. Модель ZXMC3F31DN8TA в корпусе SO8 предназначена для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитана на напряжение 30/-30 В.

• Комплект из 20 шт. N/P-MOSFET (комплементарная пара)
• Корпус SO8 для поверхностного монтажа (SMD)
• Напряжение сток-исток: 30/-30 В
• Ток стока: 4,5/-7 А
• Рассеиваемая мощность: 2,1 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,024/0,046 Ом

Комплементарная пара

Транзисторы образуют комплементарную пару (N-канальный и P-канальный MOSFET) в одном корпусе.

Электрические параметры и мощность

Максимальный ток стока составляет 4,5 А для N-канала и 7 А для P-канала. Рассеиваемая мощность — 2,1 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 0,024 Ом для N-канала и 0,046 Ом для P-канала.

Монтаж и комплектность

Компоненты выполнены в корпусе SO8 с типом монтажа SMD. В комплекте поставляется 20 шт.