Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMC3AMCTA, комплементарная пара, DFN3020B-8 (20 шт.)

Комплект из 20 комплементарных транзисторов N/P-MOSFET от Diodes Incorporated, модель ZXMC3AMCTA. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе DFN3020B-8, имеют максимальное напряжение сток-исток 30/-30 В.

• Комплект из 20 транзисторов
• Корпус DFN3020B-8 для SMD монтажа
• Напряжение сток-исток 30/-30 В
• Ток стока 3/-2,2 А
• Сопротивление в открытом состоянии 0,18/0,33 Ом
• Рассеиваемая мощность 1,5 Вт

Управление и сопротивление

Ток стока составляет 3/-2,2 А, что определяет максимальную нагрузку. Сопротивление в открытом состоянии 0,18/0,33 Ом снижает потери мощности при коммутации. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В, что важно для выбора драйвера затвора.

Тепловые характеристики

Рассеиваемая мощность составляет 1,5 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Это ограничение необходимо учитывать при проектировании системы охлаждения и выборе режимов работы транзистора.

Корпус и монтаж

Компоненты выполнены в компактном корпусе DFN3020B-8 для поверхностного монтажа (SMD). Это обеспечивает плотное размещение на печатных платах и удобство автоматизированного производства.