Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXM64P02XTA, MSOP8, 20 шт.
3 650 ₴
- В наличии
- Код: TM021623
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXM64P02XTA, MSOP8, 20 шт.В наличии
3 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXM64P02XTA — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 штук в корпусе MSOP8, что удобно для серийного производства или ремонтных работ.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -2,8 А (постоянный), -19 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 1,1 Вт
- Корпус: MSOP8, монтаж SMD
- Комплектация: 20 шт.
Управление и монтаж
Корпус MSOP8 и тип монтажа SMD обеспечивают компактное размещение на печатных платах. Напряжение затвор-исток составляет ±12 В, а заряд затвора — 6,9 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу управления.
Структура транзистора
Униполярная структура и канал обогащения определяют специфику подключения в электронных схемах. Тип P-MOSFET указывает на полярность тока и напряжения, что критично для правильной интеграции в проект.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | MSOP8 |
Информация для заказа
- Цена: 3 650 ₴