Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXM61N02FTA, SOT23, 20В, 1,3А (комплект 40 шт.)
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM080308
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXM61N02FTA, SOT23, 20В, 1,3А (комплект 40 шт.)В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 40 транзисторов N-MOSFET от Diodes Incorporated, модель ZXM61N02FTA. Предназначены для монтажа на поверхность (SMD) в корпусе SOT23. Основные параметры: напряжение 20 В, ток 1,3 А, мощность рассеивания 0,625 Вт.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 1,3 А
- Мощность рассеивания: 0,625 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 0,24 Ом
- Количество в комплекте: 40 шт.
Тип и канал
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 20 В, а допустимый ток стока — 1,3 А. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,24 Ом.
Напряжение затвора
Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±12 В.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в стандартном корпусе SOT23, что позволяет использовать их для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.625 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 240 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴