Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN4206GTA, 60 В, 1 А, SOT223, набор 20 шт.
2 670 ₴
- В наличии
- Код: TM021619
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN4206GTA, 60 В, 1 А, SOT223, набор 20 шт.В наличии
2 670 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET Diodes Incorporated модели ZVN4206GTA в корпусе SOT223. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитаны на напряжение до 60 В и ток 1 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 1 А
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Количество в наборе: 20 шт.
Технические параметры
Транзисторы являются униполярными с каналом обогащения типа N-MOSFET. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 1 Ом. Номинальное напряжение между истоком и затвором равно ±20 В.
Электрические характеристики и надежность
Комплект поставляется в количестве 20 штук, что удобно для небольших серий или прототипирования. Корпус SOT223 обеспечивает компактное размещение на печатной плате. SMD-монтаж позволяет автоматизировать процесс установки компонентов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Информация для заказа
- Цена: 2 670 ₴