Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN2106GTA, 60 В, 0,7 А, SOT223 (набор 20 шт.)
2 630 ₴
- В наличии
- Код: TM021616
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN2106GTA — это униполярный компонент с каналом обогащения, используемый в электронных устройствах. Комплект из 20 штук в корпусе SOT223 обеспечивает удобство для массового монтажа и прототипирования.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 0,7 А
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус: SOT223 (монтаж SMD)
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и выдерживает ток стока 0,7 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2 Вт, что позволяет использовать компонент в схемах с умеренной нагрузкой. Сопротивление в открытом состоянии равно 2 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT223, который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Униполярная структура и тип канала «обогащенный» определяют специфику управления затвором. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Комплектация
В набор входит 20 транзисторов Diodes Incorporated.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
- Цена: 2 630 ₴