Транзистор P-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY YJS2022A, -20V, -10.4A, SOP8 (YJS2022A-YAN) — набор 40 шт.
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM080003
Транзистор P-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY YJS2022A — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе SOP8 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию TRENCH POWER MV.
- Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -10,4 А (постоянный), -55 А (импульсный)
- Корпус: SOP8, монтаж SMD
- Технология: TRENCH POWER MV
- Комплект: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток -20 В и постоянный ток стока -10,4 А. В импульсном режиме допустимый ток составляет -55 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 26 мОм, а максимальная рассеиваемая мощность — 3 Вт.
Управление и монтаж
Устройство является униполярным с каналом обогащения, напряжение затвор-исток ограничено ±10 В. Общий заряд затвора равен 72,8 нКл. Компонент выполнен в корпусе SOP8 для технологии поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
Товар поставляется набором из 40 шт.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 10 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOP8 |
| Производитель | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Технология | TRENCH POWER MV |
- Цена: 1 950 ₴