Транзистор P-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY YJQ4666B, DFN2020-6, -16V, -5,6A (YJQ4666B-YAN) — набор 400 шт.
2 300 ₴
- В наличии
- Код: TM080002
Транзистор P-MOSFET от бренда YANGJIE TECHNOLOGY, модель YJQ4666B, предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Данный компонент выполнен в корпусе DFN2020-6 и работает по технологии TRENCH POWER LV. Внимание: товар поставляется комплектом из 400 штук.
- Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Корпус: DFN2020-6, монтаж SMD
- Ток стока: -5,6 А (номинальный), -28 А (импульсный)
- Напряжение сток-исток: -16 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 60 мОм
- Комплектация: 400 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным устройством с каналом обогащения. Максимальное напряжение между истоком и затвором составляет ±10 В. Номинальный ток стока равен -5,6 А, а импульсный ток может достигать -28 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) — 60 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в корпусе DFN2020-6 для поверхностного монтажа (SMD). Используется технология TRENCH POWER LV. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2,2 Вт. Заряд затвора равен 7,2 нКл. Напряжение сток-исток (Vds) — -16 В.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 2.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 10 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 400 шт. |
| Корпус | DFN2020-6 |
| Производитель | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Технология | TRENCH POWER LV |
- Цена: 2 300 ₴