Транзистор N-MOSFET WAYON WMS080N10LG2, 100В, 10А, SOP8 (набор 30 шт.)

Набор из 30 транзисторов WAYON WMS080N10LG2 типа N-MOSFET в корпусе SOP8. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в электронных схемах с напряжением до 100 В и током до 10 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащаемый канал
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 10 А (импульсный до 260 А)
• Корпус: SOP8, монтаж SMD
• Сопротивление в открытом состоянии: 11 мОм
• Рассеиваемая мощность: 3 Вт
• Количество в наборе: 30 шт.

Тип и канал транзистора

Транзистор является униполярным N-MOSFET с обогащаемым каналом. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В, а постоянный ток стока — 10 А. В импульсном режиме ток может достигать 260 А.

Мощность и заряд затвора

Сопротивление в открытом состоянии равно 11 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность транзистора — 3 Вт. Заряд затвора составляет 15,7 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOP8, который подходит для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение на затворе ограничено ±20 В.