Транзистор N-MOSFET WAYON WMQ175N10HG4, 100 В, 42 А, PDFN3030-8, 30 шт.

Транзистор N-MOSFET WAYON WMQ175N10HG4 — это униполярный полевой транзистор с индуцированным каналом. Комплект состоит из 30 штук в корпусе PDFN3030-8 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, с индуцированным каналом
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Постоянный ток стока: 42 А, импульсный: 168 А
• Рассеиваемая мощность: 65,8 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 18 мОм
• Корпус: PDFN3030-8, монтаж SMD
• Заряд затвора: 17 нКл
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 42 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 168 А, что позволяет использовать компонент в схемах с высокими пиковыми нагрузками. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 65,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 18 мОм.

Управление и монтаж

Компонент имеет заряд затвора 17 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Транзистор выполнен в корпусе PDFN3030-8 для технологии SMD.

Комплектация

В упаковке содержится 30 транзисторов WAYON WMQ175N10HG4.