Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ12P10TS, -100В, -12А, PDFN3030-8 (WMQ12P10TS-CYG) — набор 30 шт.

1 880 ₴

  • В наличии
  • Код: TM079934
Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ12P10TS, -100В, -12А, PDFN3030-8 (WMQ12P10TS-CYG) — набор 30 шт.
Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ12P10TS, -100В, -12А, PDFN3030-8 (WMQ12P10TS-CYG) — набор 30 шт.В наличии
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор WAYON WMQ12P10TS — это униполярный P-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель рассчитана на напряжение сток-исток до -100 В и постоянный ток стока до -12 А.

  • Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
  • Напряжение сток-исток: -100 В
  • Ток стока: -12 А (импульсный -48 А)
  • Рассеиваемая мощность: 30 Вт
  • Корпус: PDFN3030-8, монтаж SMD
  • Количество в комплекте: 30 шт.

Мощность и ток

Компонент рассчитан на рассеиваемую мощность 30 Вт и импульсный ток стока до -48 А. Низкое сопротивление в открытом состоянии 0,1 Ом снижает потери энергии во время работы. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.

Напряжение и канал

Транзистор является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение сток-исток достигает -100 В, а постоянный ток стока составляет -12 А. Заряд затвора равен 65 нКл, что влияет на скорость переключения.

Комплектация

Компонент выполнен в компактном корпусе PDFN3030-8. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж), что позволяет размещать транзистор на печатных платах с высокой плотностью.

Характеристики
Основные
Максимальная мощность рассеивания30 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)100 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте30 шт.
КорпусPDFN3030-8
ПроизводительWAYON
Информация для заказа
  • Цена: 1 880 ₴