Транзистор N-MOSFET WAYON WMQ080N03LG2, 30 В, 17,7 А, PDFN3030-8 (WMQ080N03LG2-CYG) — набор 40 шт.

Транзистор WAYON WMQ080N03LG2 — это N-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 17,7 А при напряжении 30 В. Компонент в корпусе PDFN3030-8 для поверхностного монтажа SMD поставляется комплектом из 40 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
• Постоянный ток стока: 17,7 А, импульсный: 112 А
• Рассеиваемая мощность: 21,5 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 12 мОм
• Корпус: PDFN3030-8, монтаж SMD
• Комплектация: 40 шт.

Тип и канал управления

Компонент является транзистором типа N-MOSFET с униполярной структурой и каналом обогащения. Это означает, что для открытия канала необходимо положительное напряжение на затворе относительно истока. Такая конфигурация определяет базовые принципы управления устройством в схемах коммутации.

Напряжение и ток

Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В. Постоянный ток стока равен 17,7 А, а в импульсном режиме он может достигать 112 А. Допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением ±20 В.

Мощность и сопротивление

Рассеиваемая мощность транзистора составляет 21,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 12 мОм. Заряд затвора составляет 7 нКл.