Транзистор N-MOSFET WAYON WMO9N50D1B, 500В, 9А, TO252 (WMO9N50D1B-CYG) — набор 80 шт.

Транзистор WAYON WMO9N50D1B — это N-канальный MOSFET-прибор технологии WMOS™ D1 в корпусе TO252 для монтажа SMD. Комплект состоит из 80 единиц, обеспечивающих рабочий ток 9 А и напряжение 500 В.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
• Напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 9 А (импульсный до 36 А)
• Мощность рассеивания: 104 Вт
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Комплект: 80 шт.

Электрические параметры

Прибор является униполярным N-MOSFET с обогащенным каналом. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 500 В, а постоянный ток стока — 9 А. Импульсный ток стока (Idm) составляет 36 А.

Мощность и сопротивление

Рассеиваемая мощность транзистора равна 104 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 0,68 Ом. Напряжение на затворе ограничено величиной ±30 В, а заряд затвора — 72 нКл.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе TO252, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Используется технология WMOS™ D1.