Транзистор WAYON WMO80P04TS, P-MOSFET, -40 В, -80 А, 81,16 Вт (30 шт.)

Транзистор WAYON WMO80P04TS — это полевой P-MOSFET транзистор в корпусе TO252. Модель рассчитана на максимальный ток -80 А и напряжение -40 В, с мощностью рассеивания 81,16 Вт.

• Тип транзистора: P-MOSFET (полевой)
• Максимальный ток: -80 А
• Максимальное напряжение: -40 В
• Мощность рассеивания: 81,16 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 8,2 мОм
• Корпус: TO252 (поверхностный монтаж)
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение затвор-исток 20 В и сопротивление в открытом состоянии 8,2 мОм. Импульсный ток стока может достигать -320 А, а заряд затвора составляет 110 нКл. Канал транзистора является обогащаемым, что определяет его рабочие характеристики.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен для поверхностного монтажа (SMD) в стандартном корпусе TO252.

Дополнительные характеристики

Заряд затвора составляет 110 нКл, а импульсный ток стока — -320 А. Канал транзистора является обогащаемым, а полярность — униполярной.