Транзистор N-MOSFET WAYON WMO25N10T1, 100V, 25A, TO252 (набор 50 шт.)

Транзистор WAYON WMO25N10T1 — это полевой N-MOSFET транзистор с каналом обогащения. Товар поставляется комплектом из 50 единиц в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Постоянный ток стока: 25 А, импульсный: 100 А
• Рассеиваемая мощность: 53,2 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 44 мОм
• Корпус: TO252, монтаж: SMD
• Комплектация: 50 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 25 А. Импульсный ток стока может достигать 100 А, что позволяет использовать компонент в схемах с высокими пиковыми нагрузками. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 53,2 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 44 мОм.

Управление и монтаж

Компонент является униполярным с каналом обогащения, что требует положительного напряжения на затворе для открывания. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Общий заряд затвора составляет 37,9 нКл. ## Комплектация и монтаж Товар поставляется набором из 50 единиц. Транзистор выполнен в корпусе TO252, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Такой формат упаковки удобен для серийного производства или сборки партий устройств.