Транзистор N-MOSFET WAYON WMO20N20JN, 200В, 12А, TO252, набор 30 шт.

Набор из 30 транзисторов WAYON WMO20N20JN типа N-MOSFET в корпусе TO252. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работы с напряжением до 200 В и током 12 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 200 В
• Ток стока: 12 А (импульсный до 60 А)
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Рассеиваемая мощность: 59 Вт
• Количество в наборе: 30 шт.

Напряжение и ток

Транзистор является униполярным N-MOSFET с напряжением сток-исток 200 В и номинальным током стока 12 А. В импульсном режиме ток стока может достигать 60 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.

Мощность и сопротивление

Максимальная рассеиваемая мощность — 59 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 80 мОм, что снижает потери энергии при работе. Заряд затвора равен 4,1 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO252, что позволяет использовать технологию поверхностного монтажа (SMD). Время включения (turn-on time) составляет 110 нс, что характеризует быстродействие устройства.