Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор P-MOSFET WAYON WMO13P06T1, -60В, -13А, TO252 (40 шт.)

2 280 ₴

  • В наличии
  • Код: TM079907
Транзистор P-MOSFET WAYON WMO13P06T1, -60В, -13А, TO252 (40 шт.)
Транзистор P-MOSFET WAYON WMO13P06T1, -60В, -13А, TO252 (40 шт.)В наличии
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор WAYON WMO13P06T1 — это униполярный P-MOSFET в корпусе TO252 для монтажа на поверхность (SMD). Комплект состоит из 40 единиц, предназначенных для электронных схем с нагрузкой до -13 А и напряжением до -60 В.

  • Тип: P-MOSFET, униполярный, обогащаемый канал
  • Максимальное напряжение «сток-исток»: -60 В
  • Постоянный ток стока: -13 А (импульсный: -52 А)
  • Мощность рассеивания: 29,8 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии: 90 мОм
  • Корпус: TO252, монтаж SMD
  • Количество в комплекте: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением «сток-исток» до -60 В и постоянным током стока -13 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает -52 А. Мощность рассеивания составляет 29,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 90 мОм.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение «затвор-исток» ограничено ±20 В, а заряд затвора составляет 15 нКл. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode), что означает отсутствие тока стока при нулевом напряжении на затворе.

Характеристики
Основные
Максимальная мощность рассеивания29.8 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)90 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте40 шт.
КорпусTO252
ПроизводительWAYON
Информация для заказа
  • Цена: 2 280 ₴