Транзистор N-MOSFET WAYON WMO13N10TS, 100 В, 13 А, TO252, набор 40 шт.

Набор из 40 транзисторов WAYON WMO13N10TS типа N-MOSFET в корпусе TO252. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитаны на напряжение 100 В и ток 13 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 13 А (импульсный до 52 А)
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Рассеиваемая мощность: 39 Вт
• Набор: 40 шт.

Тип и канал транзистора

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В, а постоянный ток стока — 13 А. В импульсном режиме ток может достигать 52 А. Напряжение на затворе ограничено ±20 В.

Электрические параметры

Рассеиваемая мощность компонента равна 39 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,13 Ом, что влияет на тепловые потери при работе. Заряд затвора — 4 нКл.

Мощность и сопротивление

В комплект входит 40 единиц транзисторов. Корпус TO252 предполагает поверхностный монтаж (SMD).