
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO10N80M3, 800 В, 10 А, TO252, комплект 40 шт.
2 180 ₴
- В наличии
- Код: TM037519
Транзистор WAYON WMO10N80M3 — это силовой N-канальный MOSFET по технологии WMOS™ M3 в корпусе TO252 для поверхностного монтажа. Комплект состоит из 40 штук, предназначенных для электронных схем с нагрузкой до 10 А и напряжением до 800 В.
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 10 А
- Рассеиваемая мощность: 85 Вт
- Корпус: TO252 для SMD монтажа
- Комплект: 40 шт.
Технические параметры
Устройство имеет напряжение сток-исток 800 В и ток стока 10 А, что определяет его рабочий диапазон в силовых цепях. Рассеиваемая мощность составляет 85 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 1,03 Ом. Максимальное напряжение между затвором и истоком ограничено ±30 В.
Монтаж и корпус
Транзистор выполнен в корпусе TO252 для технологии SMD. Используется технология WMOS™ M3, которая является внутренним обозначением производителя для этой серии компонентов.
Комплектация
В упаковке поставляется 40 транзисторов WAYON WMO10N80M3. Маркировка производителя — WMO10N80M3, а код TME — WMO10N80M3-CYG. Транзистор является униполярным компонентом.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 85 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1030 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Производитель | WAYON |
| Технология | WMOS™ M3 |
- Цена: 2 180 ₴
