Транзистор N-MOSFET WAYON WMO09N20DMH, 200 В, 9 А, TO252 (набор 40 шт.)
1 940 ₴
- В наличии
- Код: TM079900
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO09N20DMH, 200 В, 9 А, TO252 (набор 40 шт.)В наличии
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 40 транзисторов WAYON WMO09N20DMH — это N-MOSFET компоненты для электронных схем. Приборы имеют напряжение сток-исток 200 В и ток стока 9 А.
- Напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 9 А (импульсный до 36 А)
- Рассеиваемая мощность: 80,6 Вт
- Корпус: TO252 (SMD монтаж)
- Тип: N-MOSFET, канал обогащения
- Комплектация: 40 шт. в наборе
Электрические характеристики
Транзисторы являются униполярными N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 80,6 Вт, а импульсный ток стока достигает 36 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,35 Ом.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD). Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора составляет 19,1 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 80.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 350 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 1 940 ₴