Транзистор N-MOSFET WAYON WMO09N20DM, 200В, 9А, TO252, набор 40 шт.
1 890 ₴
- В наличии
- Код: TM079899
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO09N20DM, 200В, 9А, TO252, набор 40 шт.В наличии
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 40 транзисторов WAYON WMO09N20DM типа N-MOSFET в корпусе TO252. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитаны на рабочее напряжение 200 В и ток 9 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 9 А (импульсный: 36 А)
- Рассеиваемая мощность: 80 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Количество в наборе: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с напряжением сток-исток 200 В и номинальным током стока 9 А. Максимальный импульсный ток составляет 36 А, а рассеиваемая мощность — 80 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,3 Ом.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе TO252, что позволяет использовать технологию поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В упаковке содержится 40 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 80 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 1 890 ₴