Транзистор N-MOSFET WAYON WMO099N10HGS, 100V, 43A, TO252 (30 шт.)

Транзистор WAYON WMO099N10HGS — это N-MOSFET в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 элементов, предназначенных для электронных схем с нагрузкой до 43 А и напряжением до 100 В.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Постоянный ток стока: 43 А
• Импульсный ток стока: 268 А
• Рассеиваемая мощность: 89,3 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 9,9 мОм
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 100 В и постоянным током стока 43 А. В импульсном режиме ток может достигать 268 А, а рассеиваемая мощность составляет 89,3 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 9,9 мОм, что обеспечивает эффективную работу при высоких нагрузках.

Корпус и монтаж

Элемент выполнен в корпусе TO252, что позволяет использовать технологию поверхностного монтажа (SMD). Это упрощает автоматизацию производства и экономит место на печатной плате.

Заряд затвора и управление

Заряд затвора составляет 59 нКл, что определяет скорость переключения и требования к драйверу. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно ±20 В, что является стандартным значением для управления логическими уровнями. Канал транзистора является обогащаемым, поэтому для открывания требуется положительное напряжение на затворе относительно истока.