
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO090NV6HG4, 65В, 68А, TO252 (комплект 40 шт.)
1 920 ₴
- В наличии
- Код: TM079895
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO090NV6HG4 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 68 А при напряжении 65 В. Товар поставляется комплектом из 40 штук в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 65 В
- Постоянный ток стока: 68 А (импульсный: 272 А)
- Рассеиваемая мощность: 73,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 9,5 мОм
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток (VDS) 65 В и постоянным током стока 68 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 272 А, а рассеиваемая мощность составляет 73,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) равно 9,5 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO252 (DPAK), что позволяет использовать технологию поверхностного монтажа (SMD). Корпус TO252 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В упаковке содержится 40 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 15,8 нКл. Эти параметры определяют требования к управляющему сигналу и скорость переключения транзистора.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 73.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 65 В |
| Максимально допустимый ток стока | 68 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Производитель | WAYON |
- Цена: 1 920 ₴
