Транзистор N-MOSFET WAYON WMO08N80M3, 800 В, 7 А, TO252 (WMO08N80M3-CYG) — набор 50 шт.
2 130 ₴
- В наличии
- Код: TM079894
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO08N80M3, 800 В, 7 А, TO252 (WMO08N80M3-CYG) — набор 50 шт.В наличии
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMO08N80M3 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD). Устройство рассчитано на напряжение 800 В и ток 7 А.
- Тип: N-MOSFET с обогащенным каналом
- Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
- Максимальный ток стока: 7 А
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- Корпус: TO252 (DPAK), монтаж SMD
- Технология: WMOS™ M3
- Количество в комплекте: 50 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор выдерживает напряжение между стоком и истоком 800 В. Максимальный ток стока составляет 7 А, а рассеиваемая мощность — 70 Вт. Эти параметры определяют рабочий диапазон компонента.
Технология WMOS™ M3
Компонент изготовлен по технологии WMOS™ M3. Корпус TO252 (DPAK) предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Полярность транзистора — униполярная, канал обогащенный.
Электрические параметры канала
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1380 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Производитель | WAYON |
| Технология | WMOS™ M3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 130 ₴