Транзистор WAYON WMM80P04TS P-MOSFET, -40 В, -80 А, 92,6 Вт, TO263 (30 шт.)

Транзистор WAYON WMM80P04TS — полевой транзистор типа P-MOSFET в корпусе TO263 с поверхностным типом монтажа. В названии товара TME для него указаны -40 В, -80 А и 92,6 Вт. В комплекте 30 шт.

• P-MOSFET: -40 В, -80 А
• Импульсный ток стока: -320 А
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 8,5 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 92,6 Вт
• Корпус TO263, в комплекте 30 шт.

Тип транзистора

MOSFET — полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник, а буква P в обозначении указывает на P-канал. По данным TME транзистор униполярный. Тип канала — обогащенный.

Напряжение и ток

Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Импульсный ток стока составляет -320 А.

Сопротивление и заряд затвора

Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 8,5 мОм. Обозначение Rds означает сопротивление между стоком и истоком. Заряд затвора составляет 110 нКл.

Мощность и корпус

Максимальная мощность рассеивания составляет 92,6 Вт. Транзистор выполнен в корпусе TO263, тип монтажа — поверхностный.

Комплектация

В комплекте 30 транзисторов WAYON WMM80P04TS. Код набора в каталоге TME — WMM80P04TS-CYG.