Транзистор N-MOSFET WAYON WMM6N90D1, 900В, 6А, TO263 (WMM6N90D1-CYG) — набор 30 шт.

Транзистор WAYON WMM6N90D1 — это N-MOSFET с каналом обогащения, разработанный для работы при напряжении до 900 В. Устройство выполнено в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD) и относится к технологии WMOS™ D1.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 900 В
• Ток стока: 6 А (импульсный до 24 А)
• Корпус: TO263, монтаж SMD
• Технология: WMOS™ D1
• Набор: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 900 В. Номинальный ток стока составляет 6 А, а импульсный ток может достигать 24 А. Напряжение на затворе ограничено ±30 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 1,7 Ом.

Тепловые характеристики и монтаж

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора — 100 Вт. Заряд затвора составляет 86,2 нКл. Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

Комплектация

Товар поставляется набором из 30 штук. Транзистор является униполярным компонентом с каналом обогащения. Заряд затвора составляет 86,2 нКл, что влияет на скорость переключения. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,7 Ом, что определяет потери при протекании тока.