Транзистор N-MOSFET WAYON WMM20N20JN, 200В, 12А, TO263 (комплект 30 шт.)
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM079886
Транзистор N-MOSFET WAYON WMM20N20JN, 200В, 12А, TO263 (комплект 30 шт.)В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMM20N20JN — это N-канальный MOSFET с обогащенным каналом в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 единиц.
- Тип: N-MOSFET, обогащенный канал
- Напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 12 А (60 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 59 Вт
- Корпус: TO263, монтаж SMD
- Комплект: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 200 В и постоянный ток стока 12 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 60 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 59 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 80 мОм.
Быстродействие и управление
Время включения транзистора составляет 110 нс. Заряд затвора — 4,1 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В. Полярность транзистора — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 59 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 80 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 110 нс |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴