Транзистор N-MOSFET WAYON WMM023N08HGS, 80В, 270А, TO263 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET WAYON WMM023N08HGS — это мощный полупроводниковый компонент в корпусе TO263 для промышленной и силовой электроники. Комплект из 20 штук обеспечивает необходимое количество для серийного производства или ремонта оборудования. Высокая токовая нагрузка и низкое сопротивление открытого канала позволяют эффективно управлять большими нагрузками.

• Ток стока 270 А для мощных силовых схем
• Импульсный ток до 1080 А для пиковых нагрузок
• Низкое сопротивление открытого канала 2,6 мОм
• Корпус TO263 для поверхностного монтажа (SMD)
• Набор из 20 транзисторов в комплекте

Высокая токовая нагрузка

Транзистор работает с постоянным током стока 270 А, что делает его пригодным для мощных инверторов и источников питания. Импульсный ток может достигать 1080 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые нагрузки без повреждения компонента. Это критически важно для систем, где возможны внезапные всплески тока при запуске двигателей или зарядке аккумуляторов.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 329 Вт, что требует качественного отвода тепла от корпуса. Низкое сопротивление в состоянии проводимости 2,6 мОм минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Это повышает общий КПД устройства и снижает потребность в чрезмерно больших радиаторах.

Удобный монтаж и надежность

Компонент выполнен в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию процесса сборки плат. Напряжение сток-исток 80 В обеспечивает запас прочности для работы в силовых схемах. Напряжение затвор-исток ±20 В позволяет использовать стандартные драйверы затворов без дополнительных уровней напряжения.

Комплектация

В комплекте поставляется 20 транзисторов WAYON WMM023N08HGS. Такое количество удобно для прототипирования небольших серий или замены компонентов в ремонтных мастерских.

Управление затвором и заряд емкости затвора (Qg) 145 нКл — это относительно низкое значение, что упрощает выбор драйвера затвора и снижает потери на переключение. Меньший заряд затвора позволяет достигать более высоких частот переключения, что важно для высокоэффективных импульсных источников питания. Это снижает нагрузку на управляющую схему и повышает общую эффективность устройства. Благодаря этому транзистор можно использовать в схемах, где важна скорость реакции и минимальные потери при переключении. Такая характеристика делает компонент универсальным для различных типов силовых преобразователей. Этот транзистор предназначен для инженеров и производителей, которым нужен надежный N-MOSFET с высокими токовыми характеристиками для силовых схем. Комплект из 20 штук оптимизирует закупку для небольших партий оборудования.