Транзистор N-MOSFET WAYON WMK4N65D1B, 650В, 4А, 112Вт (WMK4N65D1B-CYG) — набор 70 шт.
1 860 ₴
- В наличии
- Код: TM079861
Транзистор N-MOSFET WAYON WMK4N65D1B, 650В, 4А, 112Вт (WMK4N65D1B-CYG) — набор 70 шт.В наличии
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMK4N65D1B — это N-MOSFET на технологии WMOS™ D1. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В, максимальный ток стока 4 А и максимальную мощность рассеивания 112 Вт.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток 650 В
- Ток стока 4 А (импульсный до 16 А)
- Максимальная мощность рассеивания 112 Вт
- Корпус TO220-3, монтаж THT
- Технология WMOS™ D1
- Набор из 70 транзисторов
Технические параметры и надежность
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 650 В. Максимально допустимый ток стока — 4 А, а в импульсном режиме (Idm) он может достигать 16 А. Максимальная мощность рассеивания — 112 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220-3. Тип монтажа — THT (through-hole technology), что означает установку выводов в отверстия на печатной плате.
Комплектация
Товар поставляется набором из 70 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 112 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2200 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 70 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Производитель | WAYON |
| Технология | WMOS™ D1 |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴