
Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ53N65F2, 650 В, 26 А, TO247-3 (WMJ53N65F2-CYG) — набор 3 шт.
2 360 ₴
- В наличии
- Код: TM037498
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMJ53N65F2 — это N-MOSFET с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 650 В и ток 26 А. Прибор изготовлен по технологии WMOS™ F2 в корпусе TO247-3 для монтажа в отверстия (THT).
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 26 А (импульсный 90 А)
- Сопротивление в состоянии проводимости: 78 мОм
- Рассеиваемая мощность: 350 Вт
- Корпус TO247-3, монтаж THT
- Комплект: 3 шт.
Напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением сток-исток 650 В и постоянным током стока 26 А. Импульсный ток стока составляет 90 А.
Сопротивление и мощность
Сопротивление в состоянии проводимости составляет 78 мОм, а рассеиваемая мощность — 350 Вт.
Управление и тип канала
Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а заряд затвора — 58 нКл. Транзистор является униполярным с обогащаемым каналом.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 350 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 26 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 78 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | WAYON |
| Технология | WMOS™ F2 |
Информация для заказа
- Цена: 2 360 ₴
