Транзистор WAYON WMJ3N120D1, N-MOSFET, 1200 В, 3 А, TO247-3 (WMJ3N120D1-CYG) — набор 20 шт.

Транзистор WAYON WMJ3N120D1 — это силовой N-MOSFET на технологии WMOS™ D1, предназначенный для использования в электронных схемах. Комплект состоит из 20 штук в корпусе TO247-3, что обеспечивает удобный монтаж на печатную плату.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 1,2 кВ
• Ток стока: 3 А (постоянный), 12 А (импульсный)
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Технология: WMOS™ D1
• Комплектация: 20 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 3 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных схемах, где требуется надежная изоляция и стабильная работа под нагрузкой.

Импульсная мощность

Прибор выдерживает импульсный ток стока до 12 А, что важно для пусковых токов и пиковых нагрузок. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 156,2 Вт, что требует эффективного отвода тепла через радиатор.

Удобный монтаж THT

Компонент выполнен в корпусе TO247-3 с технологией монтажа THT (выводной монтаж). Такое решение упрощает пайку и обеспечивает механическую прочность соединения, что критично для силовых электронных узлов.

Электрические параметры и сопротивление

Транзистор является униполярным с каналом обогащения (enhancement mode). Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а заряд затвора — 22,2 нКл. Сопротивление в состоянии проводности равно 6,3 Ом, что определяет потери мощности при протекании тока через открытый транзистор.