Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ11N150D1, 1500 В, 11 А, TO247-3 (WMJ11N150D1-CYG) — набор 3 шт.
2 030 ₴
- В наличии
- Код: TM079844
Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ11N150D1, 1500 В, 11 А, TO247-3 (WMJ11N150D1-CYG) — набор 3 шт.В наличии
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMJ11N150D1 — это N-MOSFET с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 1,5 кВ и ток 11 А. Устройство изготовлено по технологии WMOS™ D1 в корпусе TO247-3 для монтажа в отверстия (THT). Комплект состоит из 3 одинаковых транзисторов.
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: 1500 В
- Ток стока: 11 А (импульсный 44 А)
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Технология: WMOS™ D1
- Комплект: 3 шт.
Высокое напряжение и ток
Напряжение сток-исток составляет 1,5 кВ. Номинальный ток стока — 11 А, импульсный ток (Idm) — 44 А.
Технология WMOS™ D1
Технология WMOS™ D1 определяет параметры компонента. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 2,5 Ом. Заряд затвора — 93 нКл.
Монтаж и корпус
Корпус — TO247-3. Тип монтажа — THT (в отверстия). Максимальная рассеиваемая мощность — 250 Вт. Полярность транзистора — униполярная. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2500 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | WAYON |
| Технология | WMOS™ D1 |
Информация для заказа
- Цена: 2 030 ₴