
Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ10N80D1, 800 В, 10 А, TO247-3, комплект 20 шт.
3 000 ₴
- В наличии
- Код: TM021403
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMJ10N80D1 — это N-MOSFET на базе технологии WMOS™ D1. Комплект состоит из 20 штук в корпусе TO247-3.
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Постоянный ток стока: 10 А
- Импульсный ток стока: 40 А
- Рассеиваемая мощность: 215 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 910 мОм
- Корпус: TO247-3 (THT)
- Комплект: 20 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 10 А.
Импульсная мощность
Максимальный импульсный ток стока составляет 40 А, а рассеиваемая мощность — 215 Вт.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе TO247-3 с технологией монтажа THT (сквозной монтаж).
Технология WMOS™ D1
Использование технологии WMOS™ D1 обеспечивает сопротивление в открытом состоянии 910 мОм. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а заряд затвора — 33 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 215 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 910 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | WAYON |
| Технология | WMOS™ D1 |
Информация для заказа
- Цена: 3 000 ₴
