Транзистор N-MOSFET WAYON WMB56N04T1, 40V, 56A, PDFN5060-8 (набор 50 шт.)

Транзистор WAYON WMB56N04T1 — это N-MOSFET с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 40 В и постоянный ток 56 А. Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется набором из 50 штук.

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 40 В
• Постоянный ток стока: 56 А
• Импульсный ток стока: 224 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 7,2 мОм
• Корпус: PDFN5060-8 (SMD)
• Количество в наборе: 50 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 40 В и выдерживает импульсный ток до 224 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 7,2 мОм, что обеспечивает эффективную коммутацию. Мощность рассеивания — 35,7 Вт, а заряд затвора — 36 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент размещен в современном корпусе PDFN5060-8, предназначенном для технологии SMD. Такое исполнение позволяет компактно размещать транзистор на печатных платах, экономя место и упрощая автоматизированный монтаж.

Полярность и тип канала

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Это означает, что устройство открыто при наличии положительного напряжения на затворе относительно истока, что является стандартным решением для низкоомных коммутационных схем.

Напряжение на затворе

Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Этот параметр определяет безопасный диапазон управляющих сигналов, который необходимо соблюдать для предотвращения пробоя изолятора затвора.

Комплектация

Товар поставляется набором из 50 транзисторов. Такое количество удобно для серийного производства, сборки прототипов или создания запаса компонентов для ремонтных работ. Транзистор WAYON WMB56N04T1 подходит для инженеров и производителей электроники, которым нужны силовые ключи с параметрами 40 В и 56 А.