Транзистор N-MOSFET WAYON WMB340N20HG2, 200 В, 40 А, PDFN5060-8 (набор 20 шт.)

Транзистор WAYON WMB340N20HG2 — это N-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 40 А при напряжении 200 В. Компактный корпус PDFN5060-8 и монтаж SMD обеспечивают эффективное использование пространства на плате. Товар поставляется набором из 20 штук, что удобно для серийного производства или ремонта. Символ TME: WMB340N20HG2-CYG.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
• Постоянный ток стока: 40 А, импульсный: 160 А
• Рассеиваемая мощность: 108,6 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 34 мОм
• Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
• Набор: 20 шт.

Эффективность и низкие потери

Транзистор имеет рассеиваемую мощность 108,6 Вт, что позволяет работать со значительными нагрузками без перегрева. Это важно для силовых цепей, где требуется стабильная работа под высокой нагрузкой. Низкое сопротивление в открытом состоянии 34 мОм минимизирует потери энергии и нагрев компонента, повышая общий КПД устройства.

Импульсные режимы работы

Прибор выдерживает импульсный ток стока до 160 А, что делает его пригодным для пусковых токов и кратковременных пиковых нагрузок. Такая характеристика полезна в инверторах и источниках питания, где возникают резкие скачки тока. Номинальный постоянный ток составляет 40 А, обеспечивая стабильную работу в основном режиме.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8 с типом монтажа SMD, что упрощает автоматизированную установку на печатные платы. Полярность транзистора — униполярная, канал — обогащенный (enhancement mode). Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что соответствует стандартным драйверам затворов. Заряд затвора равен 23 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к мощности драйвера.