Транзистор WAYON WMB31430DN, N-MOSFET x2, 30 В, 56/130 А, PDFN5060D-8 (набор 20 шт.)

Транзистор WAYON WMB31430DN — это комплект из 20 штук двойных N-MOSFET транзисторов в корпусе PDFN5060D-8. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в электронных устройствах, требующих коммутации тока до 130 А при напряжении 30 В.

• Комплект из 20 транзисторов WAYON WMB31430DN
• Тип: двойной N-MOSFET (N-MOSFET x2)
• Напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 56/130 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 4,5/1,3 мОм
• Корпус: PDFN5060D-8, монтаж SMD

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 30 В и ток стока 56/130 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 4,5/1,3 мОм. Заряд затвора равен 31,1/90 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Тепловые характеристики

Мощность рассеивания составляет 24/37,8 Вт. Это определяет тепловой режим работы компонента в составе устройства и требования к отводу тепла от корпуса.

Структура и монтаж

Компонент является униполярным с каналом обогащения и асимметричной структурой полупроводника. Монтаж выполняется методом SMD в корпусе PDFN5060D-8, что позволяет размещать транзистор на печатных платах без сверления отверстий.

Заряд затвора и управление

Заряд затвора составляет 31,1/90 нКл. Допустимое напряжение затвор-исток равно ±20 В, что определяет допустимый уровень управляющего сигнала.

Структура и монтаж

Транзистор имеет униполярную структуру с каналом обогащения и асимметричное строение полупроводника. Монтаж выполняется методом SMD в корпусе PDFN5060D-8, что позволяет размещать компонент на печатных платах без сверления отверстий. Комплект из 20 транзисторов.