Транзистор N-MOSFET WAYON WMB175N10LG4, 100В, 46А, PDFN5060-8 (комплект 40 шт.)

Транзистор WAYON WMB175N10LG4 — это N-MOSFET с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 46 А. Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 40 штук.

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 46 А (импульсный до 184 А)
• Рассеиваемая мощность: 71,4 Вт
• Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
• Комплектация: 40 штук

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 100 В и выдерживает постоянный ток стока 46 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 184 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 17 мОм, что снижает потери при пропускании тока.

Мощность и управление

Максимальная рассеиваемая мощность равна 71,4 Вт. Для управления затвором требуется напряжение ±20 В, а суммарный заряд затвора составляет 22,7 нКл. Эти характеристики определяют скорость переключения и требования к драйверу затвора.

Корпус и монтаж

Компонент имеет корпус PDFN5060-8, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Такое исполнение обеспечивает компактность узла и удобство автоматизированного монтажа на печатных платах.